Western Digital e Kioxia presentano le prime memorie 3D NAND BiCS5 a 112 strati

I produttori di memorie NAND sono impegnati nel cercare di aumentare le capacità di memorizzazione per ogni wafer prodotto: ciò impone di accrescere il numero di layer utilizzati su ogni singolo chip.
Western Digital e Kioxia, ex Toshiba Memory, hanno annunciato l’imminente arrivo sul mercato di una nuova memoria, battezzata BiCS5 (dove BiCS è acronimo di Bit Column Stacked), formata da ben 112 strati rispetto ai 96 di BiCS4.

Le due aziende hanno fatto presente di aver già iniziato la produzione su chip di tipo TLC (tre bit per cella) da 512 Gb (64 GB) ma i primi esemplari delle memorie BiCS5 non saranno disponibili in volumi significativi fino alla seconda metà di quest’anno.

Western Digital e Kioxia stanno preparando anche una memoria BiCS5 da 1 Tb (128 GB) e 1,33 Tb (170 GB) di tipo QLC (quattro bit per cella): vedere SSD QLC, sono veloci e affidabili anche se sulla carta non dovrebbero esserlo.

L’aumento della densità dovuto al nuovo modo di produrre i chip spostando la logica di controllo delle celle di memoria sotto le stesse, ha portato a chiamare queste memorie NAND 4. La densità di bit per wafer viene aumentata di circa il 40% rispetto alla generazione precedente riducendo il costo per gigabyte.

Stando a quanto riferito, la transizione verso le memorie a 112 strati dovrebbe essere un po’ più lenta e i chip a 96 layer dovrebbero restare punto di riferimento ancora per lungo tempo.