Toshiba è una delle aziende leader nella produzione dei chip di memoria destinati alle unità SSD. La società ha appena annunciato che per le sue soluzioni della serie BG utilizzerà nuove memorie 3D NAND di tipo TLC.
I nuovi SSD saranno disponibili nei formati M.2 2230 e 2280, con capacità fino a 512 GB.
I tecnici di Toshiba hanno spiegato che verrà utilizzata l’interfaccia PCIe 3.0 x2 che permetterà di raggiungere i 1.000 MB/s in lettura sequenziale. Le prestazioni saranno ulteriormente migliorate, poi, grazie al supporto delle specifiche NVMe 1.2 (vedere SSD M.2 PCIe NVMe, guida ai nuovi termini).
Funzione integrata nel protocollo NVMe 1.2 è HMB (Host Memory Buffer) che permetterà agli SSD più evoluti di usare la memoria RAM senza limitazioni. Grazie all’utilizzo di NVMe 1.2, l’interfaccia è infatti sufficientemente veloce per gestire le velocità delle DRAM e permettere così agli SSD di beneficiare di una parte della memoria di sistema.
Un espediente, questo, che consente di aumentare la velocità dell’unità SSD contenendo i costi.
NVMe si occupa di creare con regolarità una copia dei dati memorizzati in DRAM anche su chip NAND in modo tale da azzerare i rischi di perdita di informazioni nel caso in cui dovesse venire meno l’alimentazione elettrica.
La serie BG di Toshiba ancora non utilizza le memorie DRAM come cache ma HBM consente comunque un’efficiente gestione del dato, evitando letture non necessarie dall’unità SSD.
Tanto che l’azienda parla di un balzo in avanti – in termini di performance – compreso tra il 30% e il 65% durante letture random e fra il 70% e il 115% per le operazioni di scrittura random.
I nuovi SSD Toshiba che utilizzano il nuovo approccio, verranno prodotti entro qualche mese e saranno immessi sul mercato immediatamente dopo.