Samsung: un incidente nella produzione delle DRAM ha causato perdite milionarie

I problemi di produzione sono purtroppo piuttosto comuni nell’industria dei chip: basti pensare, ad esempio, che quest’anno TSMC ha lamentato un grave incidente relativamente alle sostanze chimiche utilizzate durante il processo produttivo che ha costretto l’azienda taiwanese a “cestinare” circa 10.000 wafer di silicio: TSMC, un incidente blocca la produzione: 10.000 wafer di silicio inutilizzabili.
Toshiba ha essa stessa sperimentato un grave problema che ha danneggiato parte della produzione di memorie NAND del terzo trimestre.

Stavolta tocca a Samsung che riferisce oggi di aver avuto problemi relativamente alla produzione dei wafer da 200 mm utilizzati per la produzione di DRAM.

Portavoce dell’azienda hanno rivelato che una linea di produzione è stata contaminata con prodotti difettosi rendendoli di fatto inadatti alla commercializzazione. Il problema sarebbe già stato risolto ma le perdite sarebbero quantificabili in diversi milioni di dollari. Al momento Samsung ha preferito non fornire alcun dato numerico.

Difetti nella produzione di DRAM sono stati rilevati per qualche tempo con il processo a 10 nm della prima generazione di Samsung, incidenti che in seguito hanno provocato problemi sulla linea di produzione.