Samsung presenta memorie RDIMM DDR4 TSV da 128 GB

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle memorie RDIMM da 128 GB.
Si tratta di memorie RAM estremamente performanti che utilizzano TSV (through silicon via), una tecnologia che interconnette mediante l’uso di nanofili diversi chip di memoria.

Ciascuno dei moduli RDIMM da 128 GB integra 144 chip di memoria DDR4 per un totale di 36 package DRAM da 4 GB realizzati con un processo produttivo a 20 nm. La frequenza operativa varia da 2.667 a 3.200 MHz.

Si tratta, evidentemente, di banchi di memoria RAM destinati al mondo enterprise che hanno anche un vantaggio non da poco: la ridotta richiesta in termini energetici.

Samsung è stata la prima azienda al mondo ad aver presentato, lo scorso anno, un modulo RAM 3D TSV DDR4 da 64 GB. Adesso la società coreana compie un altro passo in avanti strizzando l’occhio, per il momento, alle imprese di grandi dimensioni ed ai datacenter.

Con la tecnologia TSV i die del chip vengono posti l’uno sull’altro nel giro di pochi micrometri di spazio. Attraverso minuscoli fori praticati su di essi, vengono fatte transitare le interconnessioni. Usando tali collegamenti sviluppati in senso verticale, il segnale può distribuirsi in maniera ancor più rapida ed efficace rispetto alla tradizionale tecnica del wire bonding.