Samsung presenta le sue prime memorie eMRAM: cosa sono

Secondo gli analisti, le memorie DDR5 dovrebbero restare sul mercato fino al 2025 anche perché fino ad oggi non esistevano tecnologie sufficientemente affidabili in grado di rimpiazzare i tradizionali moduli DRAM.

È però Samsung ad avviare oggi la produzione delle prime memorie eMRAM (Embedded Magnetoresistive Random Access Memory).
Create ricorrendo a un processo litografico a 28 nm, la principale prerogative delle nuove memorie presentate dalla società sudcoreana è che esse sono non volatili: possono quindi essere utilizzate per sostituire le tradizionali eFlash e adoperate per mantenere memorizzati i dati anche allo spegnimento del dispositivo.

Le memorie eMRAM consentirebbero di ottenere benefici anche in termini di durabilità, di consumo energetico, di performance (velocità in lettura e scrittura).
I dati precisi debbono essere ancora diffusi ma si parla di consumi energetici ridotti allo 0,25%, ad esempio, a una velocità di scrittura superiore di migliaia di volte rispetto alle DRAM.

A differenza delle tradizionali memorie RAM, le eMRAM non memorizzano le informazioni come una quantità di carica elettrica ma usando un campo magnetico. L’elemento che immagazzina il campo magnetico è formato da due strati di materiale ferromagnetico separati da uno strato di materiale isolante.

Sebbene le eMRAM offrano buone possibilità in termini di scalabilità, non potranno essere prodotte usando un approccio 3D e, al momento, possono essere prodotte ricorrendo a chip di capacità fino a 128 MB.

Secondo i tecnici di Samsung la tecnologia eMRAM è già matura per poter essere utilizzata nei nuovi SoC. Inoltre, è il tipo di memoria ideale per l’utilizzo nei microcontroller, nelle soluzioni basate sull’intelligenza artificiale e sui dispositivi per l’Internet delle Cose.