Samsung presenta le prime memorie UFS 3.0 da 512 GB

Samsung anticipa i diretti rivali annunciando l’avvio della produzione delle prime memorie ultraveloci UFS 3.0 su chip da 512 GB. Per motivi di tempo, la società sudcoreana non è riuscita a integrare la nuova memoria nel Galaxy S10 che è invece pronta, adesso, per i futuri top di gamma.

La nuova memoria consente di ottenere velocità di trasferimento dati fino a 2100 MB/s e 410 MB/s rispettivamente in lettura e scrittura sequenziale così come 63.000-68.000 IOPS in lettura/scrittura random 4K.

Il balzo in avanti è già notevole rispetto alle memorie UFS 2.1 lanciate da Samsung a gennaio e pone le eUFS 3.0 sostanzialmente in linea con le prestazioni offerte dalle unità SSD SATA3. Come termine di paragone, le memorie eMMC 5.0 e 5.1 utilizzate nella stragrande maggioranza dei dispositivi mobili si attestano sui 7.000-13.000 IOPS nelle operazioni di lettura/scrittura random 4K.

I responsabili di Samsung hanno confermato che i primi chip eUFS 3.0 da 512 GB e 128 GB sono già in produzione mentre le versioni da 256 GB e 1 TB seguiranno nella seconda parte di quest’anno.