Samsung presenta le nuove memorie HBM2 Flashbolt fino a 4,2 Gbps

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) è stata sottoposta a una revisione da parte di JEDEC, l’organismo di standardizzazione che ne ha seguito lo sviluppo. È stato quindi approvato il nuovo standard per le memorie HBM2 a 3,2 Gbps abbandonando la nomenclatura precedentemente definita: avrebbe dovuto essere HBM2E, anche se Samsung sembra mantenerla in essere, almeno nei suoi comunicati stampa.

Il nuovo standard in termini di performance non influisce sulla capacità del die, che resterà a 16 Gb (2 GB) con la possibilità di impilare fino a 12 strati su un singolo chip in modo tale da ottenere 24 GB, con una larghezza di banda totale di 410 GB/s ad una tensione di 1,2 V.

Il vantaggio della memoria HBM2 rispetto alla più diffusa GDDR6 è che può combinare la larghezza di banda di più chip e assicurare fino a 1640 GB/s in fase di trasferimento dati.
Con un solo chip HBM2 offre una larghezza di banda quasi pari a quella delle memorie GDDR6 a 14 GHz, che si attesta a 448 GB/s.

Samsung è la prima azienda ad annunciare la produzione di massa delle memorie HBM2 a 3,2 Gbps entro la prima metà di quest’anno: Flashbolt è il nome assegnato loro.
I chip possono arrivare a trasferire i dati fino a 4,2 Gbps con una larghezza di banda pari a 538 GB/s per chip. Samsung utilizza un processo litografico 1y nm, quindi compreso tra 14 e 16 nm.