Samsung prepara memorie UFS 2.0 superveloci: i dettagli

Samsung è stato il primo produttore al mondo a integrare memorie flash UFS nei suoi dispositivi: nel Galaxy S6 prima e nel Galaxy S7, poi (Samsung presenta Galaxy S7 e Galaxy S7 Edge). I dati possono essere così letti e scritti ad alta velocità.

D’ora in avanti, Samsung non si fermerà più alle memorie da 128 GB ma utilizzerà, nei prossimi dispositivi, anche memorie UFS 2.0 da 256 GB.

Attualmente la specifica UFS permette di raggiungere i 315 MB/s nella lettura sequenziale ed i 19.000 IOPS (76 MB/s) nella lettura random di file 4K.

Nel caso delle nuove memorie UFS 2.0 da 256 GB, la velocità di lettura cresce fino a 850 MB/s grazie all’impiego di un doppio canale per il trasferimento dati. Si tratta, quest’ultima, di una prerogativa delle nuove memorie che offre una maggiore ampiezza di banda.
Nella lettura random di file 4K, “i numeri” comunicati da Samsung fanno riferimento a 45.000 IOPS. La scrittura sequenziale, invece, è realizzata a 260 MB/s.

Per ridurre al minimo la dimensione dei chip di memoria Samsung utilizza la tecnologia V-NAND.

La produzione, come hanno confermato i portavoce del gigante sudcoreano, è già iniziata e le memorie ultraperformanti saranno adottate nei prossimi dispositivi mobili di fascia alta.

Utilizzando un trasferimento dati via USB 3.0, gli utenti potranno copiare un contenuto multimediale FullHD da 5 GB in 12 secondi.

Nell’articolo Quale SSD comprare: differenze e consigli per l’acquisto abbiamo chiarito il significato della sigla IOPS (operazioni al secondo).