Samsung è destinata mantenere la sua leadership nel settore della produzione di semiconduttori grazie a due nuovi processi costruttivi che utilizzerà nei suoi stabilimenti.
Tutti i principali produttori di chip hanno avviato il processo di transizione verso l’utilizzo della litografia ultravioletta estrema (EUV) (vedere Come nascono chip e processori ultraminiaturizzati con i sistemi EUV) così da spingersi verso i 7 nm e oltre.
Samsung ha presentato, innanzi tutto, il processo produttivo 11LPP (11 nm FinFET LPP, Low Power Plus) che è da oggi accessibile anche ai clienti dell’azienda sudcoreana e che sarà sfruttato per realizzare processori di fascia media e alta.
Grazie alla riduzione della dimensione dei transistor, secondo Samsung si potranno ottenere il 15% di performance in più con una riduzione del 10% dell’area occupata dal chip.
L’altro processo produttivo descritto da Samsung è a 7 nm LPP e utilizza la litografia ultravioletta estrema.
Esso sarà ulteriormente sviluppato e migliorato nei prossimi mesi così da essere pronto per l’utilizzo nella seconda metà del 2018.
La roadmap di Samsung prevede anche un processo a 8 nm che userà sempre EUV.
Stando a quanto dichiarato, la società orientale avrebbe già gestito circa 200.000 wafer di silicio con la tecnica EUV riuscendo a ottenere una resa dell’80% nella produzione di chip SRAM da 256 Megabit.
Ricordiamo che entro il 2020 Samsung ha in programma di lanciare un processo costruttivo a 4 nm: Samsung, ambizioso piano per realizzare chip a 4 nm entro il 2020.