Samsung inizia la produzione delle DRAM a 10 nm

Samsung è una delle aziende al mondo che investono maggiormente in ricerca, sviluppo e innovazione. La società coreana aggiunge oggi un importante “titolo” al suo palmarès: Samsung è la prima azienda a lavorare sulla produzione di massa di chip di memoria realizzati con un processo litografico a 10 nm.

Le memorie DDR4 appena presentate da Samsung sono da 8 gigabit (1 GB), permettono di ottenere un risparmio energetico del 20% e consentono di usare uno stesso wafer per ottenere più esemplari (più di 30% in più rispetto alle precedenti DDR4 realizzate con un processo costruttivo a 20 nm).

Stando a quanto riferito, i risultati sono destinati a migliorare ancora nel corso del tempo.
Per il momento, Samsung ha adottato la tecnologia proprietaria QPT (Quadruple Patterning Technology) che consente di migliorare in maniera significativa la risoluzione durante l’operazione di litografia sul wafer rispetto alle soluzioni tradizionalmente impiegate.
La tecnologia QPT dovrebbe poter essere utilizzata almeno fino alla realizzazione di memorie DRAM a 7 nm.

Le RAM oggi presentate, poi, sono state realizzate usando la litografia ad immersione (ArF, argon fluoride) evitando l’utilizzo di quella EUV (extreme ultra violet).

In termini di prestazioni, le nuove DRAM a 10 nm offrono un trasferimento dati pari a 3.200 Mbps; un balzo in avanti del 30% rispetto alle DDR4 a 20 nm caratterizzate da un transfer rate di 2.400 Mbps.

Disponibili sia come DIMM che come SO-DIMM, le nuove memorie saranno commercializzate in banchi a partire da 4 GB per i sistemi desktop e notebook fino a 128 GB per i server di classe enterprise.

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