Samsung crea il primo package LPDDR4 da 8 GB

Samsung ha appena posto una nuova importante pietra miliare presentando la prima memoria LPDDR4 da 8 GB, progettata essenzialmente per i dispositivi mobili di fascia alta.
Il package integra quattro chip di memoria da 16 Gbps (2 GB), ciascuno realizzato ricorrendo ad un processo costruttivo a 10 nm.

La velocità di clock della memoria è pari a 4266 MHz, il doppio della frequenza minima attualmente utilizzata per le DDR4 a 2133 MHz destinate all’impiego coi processori Intel Skylake.

La nuova memoria messa a punto dagli ingegneri di Samsung è verosimilmente destinata, in primis, al Galaxy S8. Basti pensare, infatti, che il SoC Kirin 960 di Huawei/HiSilicon utilizza una memoria a 3600 MHz: Kirin 960, Huawei lancia il suo processore più veloce.

Il package “unico” che integra 8 GB di RAM LPDDR4 consentirà di risparmiare spazio sul circuito stampato e destinarlo ad altre componenti hardware.
La RAM potrà essere ad esempio sovrapposta al processore o allo storage UFS permettendo di fare ancora più spazio.

Dopo il fallimento completo del Note7, il Galaxy S8 dovrà necessariamente risollevare le sorti dell’azienda. Stando alle “voci di corridoio”, Samsung avrebbe pensato ad un dispositivo con almeno 6 GB di RAM e processore Exynos 8895 per una versione, Snapdragon 830 per l’altra.