Ni-VolRAM, più veloci ed efficienti delle attuali DRAM. Ma è ancora tutto sulla carta

Un gruppo di studiosi giapponesi (Istituto di tecnologia di Tokyo) ha pubblicato un interessante studio che descrive una nuova tecnologia per le memorie RAM del futuro che si ispira al funzionamento delle batterie agli ioni di litio.
Cosa c’entrano le batterie con le moderne memorie volatili?

I ricercatori sono riusciti a progettare una cella di memoria battezzata Ni-VolRAM e caratterizzata da una struttura semplice, che richiede poca energia e offre grandi vantaggi in termini di densità e velocità.
Sono stati utilizzati tre strati (litio, fosfato di litio e nichel) creando una sorta di mini-batteria che però funziona come una cella per la memorizzazione dei dati. Gli stati di carica e scarica, in particolare, sono stati utilizzati per la rappresentazione di ogni singolo bit di informazione (0 e 1).

Dal team guidato dal professor Taro Hitosugi si spiega che dispositivi per la memorizzazione dei dati come quello proposto potrebbero diventare la chiave per lo sviluppo di memorie RAM più efficienti e veloci rispetto alle attuali DRAM.
Il “bassissimo consumo energetico” è il principale vantaggio di queste celle di memoria che potrebbero dover fare i conti però con una maggiore generazione di calore, che dovrà essere opportunamente dissipato.

Nelle prime fasi progettuali, gli esperti avevano utilizzato l’oro anziché il nichel per poi verificare che quest’ultimo permette la realizzazione di una cella più efficiente e facilita la memorizzazione di un più ampio quantitativo di dati. È stato poi registrato un “effetto collaterale” positivo: ricorrendo al nichel la cella di memoria può usare tre stati di tensione invece di due. La gestione di un sistema a tre stati (sistema ternario) non è praticamente mai stata applicata in campo informatico: tipicamente si usano due stati per un bit, quattro stati per due bit, otto stati per tre bit e così via. L’informatica quantistica ha rivoluzionato questo tipo di approccio introducendo il concetto di qubit.

A parte “l’unicità” della soluzione proposta da Hitosugi e “dai suoi” in termini di livelli di tensione, l’energia richiesta per le operazioni correnti da parte delle celle Ni-VolRAM sarebbe pari a circa un cinquantesimo di quella di cui le DRAM odierne hanno bisogno.

Certo, al momento ci troviamo al livello di uno “studio di fattibilità”: non abbiamo a che fare con un “prodotto” ma piuttosto con un modello concettuale. Solo negli anni a venire sapremo se l’intuizione documentata oggi dagli accademici di Tokyo potrà avere successo e trasformarsi in un prodotto commerciale.