Micron si conferma come uno dei produttori di semiconduttori più all’avanguardia. Dopo aver ideato la nuova tecnologia 3D Xpoint di concerto con Intel (ne proseguirà lo sviluppo in totale autonomia: La tecnologia 3D Xpoint passerà nelle mani di Micron), la multinazionale statunitense ha comunicato di aver realizzato i primi chip di memoria LPDDR4X monolitici da 12 Gb (1,5 GB).
Anziché impilare diversi chip come spesso accade per aumentare le capacità di memorizzazione e semplificare i processi produttivi, Micron ha utilizzato un singolo pezzo di silicio.
Per lavorare con i circuiti integrati di tipo monolitico il problema verte sull’utilizzo di una tecnologia decisamente più avanzata. L’azienda d’Oltreoceano sembra essere riuscita nell’intento di ridurre significativamente i costi di produzione di ciascun chip di memoria riducendone le dimensioni grazie anche a un accorciamento dei collegamenti tra i vari layer.
Una serie di interventi che hanno portato alla creazione di un chip monolitico in grado di ridurre i consumi energetici del 10% rispetto alle migliori soluzioni attuali.
I nuovi chip da 12 Gb riescono a trasferire 4266 Mbps per singolo pin e sono realizzati ricorrendo a un processo costruttivo tra 10 e 19 nm.
Le densità di dati che permettono di ottenere le nuove memorie Micron permetteranno di aumentare in modo rilevante la dotazione di RAM degli smartphone top di gamma e dei dispositivi mobili più evoluti.