Micron presenta il primo chip di memoria 3D NAND a 232 strati: cosa significa

Sebbene il settore delle memorie 3D NAND stia entrando in un periodo in cui si registra una certa sovrapproduzione con prezzi in calo, le aziende devono necessariamente continuare a innovare.

Si chiama NAND una memoria flash non volatile che può cioè conservare i dati anche quando non è connessa a una fonte di energia: le unità SSD, i supporti di memorizzazione esterni USB e le schede SD utilizzano tutti la tecnologia flash per lo storage delle informazioni.
In un altro articolo abbiamo parlato ad esempio delle principali differenze tra eMMC, UFS e SSD.

Le memorie 3D NAND rappresentano una delle principali innovazioni nel campo dello storage dei dati dell’ultimo decennio. Le tradizionali memorie NAND conservano i dati in celle che sono disposte orizzontalmente, l’una accanto all’altra. Ciò significa che lo spazio è limitato e una riduzione della dimensione fisica di ciascuna cella potrebbe portare a una minore affidabilità.

Con la miniaturizzazione sempre più spinta, i produttori si sono trovati in difficoltà accorgendosi che risultava sempre più complesso se non ormai impossibile aumentare la densità dei chip in orizzontale.

Con lo schema 3D NAND le celle vengono impilate verticalmente: la maggiore densità di memoria così ottenuta si traduce in una più ampia capacità di storage senza un elevato aumento del prezzo e senza esasperare la riduzione dei nodi di processo. Samsung ha da sempre chiamato V-NAND le sue memorie 3D NAND.

Micron ha appena annunciato lo sviluppo di un suo chip 3D NAND formato da ben 232 strati, una soluzione che pone l’azienda come leader del settore. Si tratta di un notevole progresso rispetto alle memoria a 176 strati attualmente in produzione.

Questa sesta generazione di memorie 3D NAND è pronta per la produzione di massa anche se ci vorrà del tempo prima che raggiunga i vari prodotti commerciali.
La nuova soluzione consente di impilare chip fino a 128 GB per creare chip ancora più generosi in termini di capienza. La densità è stata migliorata del 45% rispetto alla generazione precedente a 176 strati mentre la dimensione dei chip sarà più piccola (11,5 x 13,5 mm).

La maggior parte delle migliorie deriva dall’utilizzo di un sistema litografico ancora più evoluto. Aumentando gli strati aumenta il parallelismo e quindi anche la velocità dei chip che in questo caso Micron sostiene sia aumenta del 50% sul bus ONFI (Open NAND Flash Interface) ovvero del 100% in scrittura e del 75% più lettura.
Delle differenze tra chip SLC, MLC, TLC e QLC abbiamo già parlato nel dettaglio: la nuova 3D NAND Micron a 232 strati è di tipo TLC quindi dovrebbe essere certamente contraddistinta da un buona durata.

Maggiori informazioni sono reperibili in questo video pubblicato da Micron.