Memorie RAM DDR5 a 12 nm: Samsung ne avvia la produzione. Quali sono le catteristiche

Le memorie DDR5 sono un tipo di memoria volatile utilizzata nei sistemi informatici capace di offrire significativi miglioramenti in termini di velocità, capacità ed efficienza energetica. In un altro nostro articolo abbiamo analizzato le principali differenze tra DDR4 e DDR5 evidenziando i principali cambiamenti tra l’una e l’altra tecnologia.

Oltre alle migliore in termini di velocità di trasferimento dati rispetto alle memorie DDR4, i moduli DDR5 eccellono in termini di efficienza energetica, grazie a una tensione di funzionamento più bassa, ottimizzando affidabilità e correzione degli errori.

I produttori si stanno anche adoperando per migliorare i processi costruttivi con la miniaturizzazione dei transistor e dei circuiti integrati all’interno dei chip di silicio. Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione di massa delle sue nuove DRAM DDR5 da 16 gigabit (Gb): utilizzano la tecnologia di processo a 12 nanometri (nm) più avanzata del settore.

Rispetto alla generazione precedente, la nuova DRAM DDR5 a 12 nm di Samsung riduce il consumo energetico fino al 23%, migliorando la produttività dei wafer fino al 20%. La sua eccezionale efficienza energetica configura le nuove DDR5 di casa Samsung come una soluzione ideale per server e data center al fine di abbassare i consumi energetici e l’impronta di carbonio.

Lo sviluppo da parte di Samsung della tecnologia a 12 nm per le sue RAM DDR5 è stato reso possibile grazie all’uso di un nuovo materiale ad alto “k” che aiuta ad aumentare la capacità delle celle. L’elevata capacità si traduce in una significativa differenza di potenziale elettrico nei segnali utilizzati per il trasferimento dati: in questo modo è facile distinguerli con precisione.

Cosa significa materiale ad alto k

Un materiale ad alto “k” è contraddistinto da una costante dielettrica relativa alta: essa misura la capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica nel campo elettrico.

Nel contesto dei transistor e dei circuiti integrati, quindi anche nelle DRAM, il materiale ad alto “k” viene utilizzato come strato dielettrico nella struttura dei transistor per ridurre la perdita di energia elettrica e migliorare le prestazioni complessive.

Una costante dielettrica relativa più alta propria del materiale ad alto “k” consente di ridurre la tensione applicata per ottenere lo stesso livello di capacità rispetto a un materiale dielettrico tradizionale.

Il tutto si traduce in un minor consumo di energia e in una maggiore efficienza energetica del dispositivo, maggiore scalabilità (è più facile dimensionare i transistor), minore interferenza tra transistor. Samsung ha utilizzato la chiave giusta per migliorare le prestazioni delle RAM, l’efficienza energetica e la densità.

I portavoce dell’azienda sudcoreana fanno presente che il nuovo traguardo fatto segnare con l’arrivo delle nuove DRAM DDR5 a 12 nm riflette l’impegno di Samsung a guidare il mercato con prodotti ad alte prestazioni e ad alta capacità.