Memorie HBM3E Shinebolt: Samsung offre 1,2 TB/s di banda sul singolo modulo

Durante l’evento Memory Tech Day, Samsung ha svelato le sue nuove memorie HBM3E che promettono di stabilire nuovi record per quanto riguarda la larghezza di banda e la capacità di memoria. Ovviamente destinate ai sistemi a elevate prestazioni, le HBM3E fissano un nuovo standard nel settore, un punto di riferimento al quale guarderanno presto anche altri produttori.

Capaci di venire incontro alle crescenti esigenze dei processori di fascia alta, le nuove memorie Samsung HBM3E Shinebolt sono proposte nella capacità massima di 36 GB, valore che rappresenta un aumento del 50% rispetto alle equivalenti HBM3 (Icebolt) da 24 GB. La larghezza di banda massima per pin sale a 9,8 Gbps, più del 50% rispetto alle precedenti HBM3. Ciò significa che il singolo modulo HBM3E può gestire più di 1,2 TB/s (Terabyte al secondo).

Stacking delle memorie HBM3E

Il termine stack si riferisce a un gruppo di chip di memoria impilati verticalmente in un singolo modulo. Questi chip di memoria sono disposti in strati sovrapposti nello stesso package: ciò significa che sono fisicamente uno sopra l’altro anziché essere posti in orizzontale come accade in molte tipologie di memoria. Si tratta di un design che consente una maggiore densità di memoria in uno spazio fisico più ridotto.

Nel caso delle HBM3E Shinebolt di Samsung, l’azienda sudcoreana menziona stack 8Hi e stack 12Hi. Uno stack 8Hi contiene otto chip di memoria impilati, mentre un stack 12Hi ne contiene dodici.

Avere più chip di memoria impilati in un singolo stack aumenta la capacità complessiva del modulo di memoria, consentendo di avere più dati memorizzati nello stesso spazio fisico. È particolarmente utile in applicazioni ad alte prestazioni dove la larghezza di banda e la capacità di memoria sono fondamentali, come nei processori di fascia alta e nelle applicazioni di intelligenza artificiale.

Ciascuno stack HBM3E offre da un minimo di 1 TB/s di banda fino a un massimo di 1.225 TB/s. Prendendo come esempio una GPU di fascia alta (ad esempio NVIDIA H100), un chip a 6 stack sarebbe in grado di offrire fino a 216 GB di memoria con una larghezza di banda di memoria aggregata fino a 7,35 TB/sec.

Le altre caratteristiche delle nuove memorie Samsung

Per quanto riguarda il consumo energetico, le HBM3E Shinebolt sono descritte come più efficienti dal punto di vista energetico con un consumo inferiore del 10% rispetto alle HBM3. Tuttavia, a causa dell’aumento significativo nella quantità di dati trasferiti dovuto all’incremento della frequenza operativo, il consumo energetico delle memorie HBM è destinato a crescere con la prossima generazione.

Samsung ha infatti accennato ai piani di sviluppo delle memorie HBM4: utilizzeranno una più ampia interfaccia di memoria a 2048 bit. Si tratta di una modifica tecnica necessaria per evitare un aumento eccessivo dei consumi energetici a fronte dell’ulteriore aumento della frequenza di clock.

I portavoce della società confermano che le nuove memorie HBM3 saranno prodotte in massa nel corso del 2024, insieme con le GDDR7 che andranno ad irrobustire le performance delle GPU di nuova generazione.