Intel presenta il suo processo costruttivo a 10 nm: inizialmente usato per i chip FPGA

La società di Santa Clara ha mostrato un wafer di silicio a 10 nm che secondo Intel permetterà di realizzare processori di dimensioni ancora più contenute rispetto alla concorrenza.

Com’era già noto, Intel ha realizzerà i futuri processori Cannon Lake e Ice Lake ricorrendo a un processo costruttivo a 10 nm: Intel prepara i processori Core di nona generazione: in arrivo Ice Lake.


In occasione del Technology and Manufacturing Day svoltosi a Pechino, Intel ha mostrato un wafer di silicio per la realizzazione di chip a 10 nm.
Ad utilizzarlo non saranno solo le CPU di prossima generazione che debutteranno a partire dal 2018 ma anche gli FPGA – chip programmabili per applicazioni “ad hoc” – chiamati Falcon Mesa, capaci di esprimere una potenza computazionale ancora maggiore rispetto ai processori tradizionali (ovviamente in campi molto specifici).


I Falcon Mesa saranno compatibili con il nuovo packaging multichip a cui Intel sta lavorando. La società impiegherà ricetrasmettitori seriali a 112 Gbps e l’interconnessione EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect) che consente di velocizzare lo scambio dei dati tra chip di diverso tipo. L’obiettivo è quello di consentire lo sviluppo di FPGA estremamente eterogenei.

Secondo Intel i transistor realizzati ricorrendo al processo a 10 nm sono molto più compatti rispetto alla soluzione adottata dai principali concorrenti quali Huawei (HiSilicon), Samsung e TSMC.

Il wafer di test presentato questa settimana in terra cinese poggia su core ARM Cortex-A75 che operano a una frequenza di clock di 3 GHz. Intel intende presentarsi in futuro come una concreta alternativa anche per la realizzazione dei SoC destinati ai device mobili.

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