Intel è avanti nella produzione di chip evoluti, grazie alla litografia High-NA

Intel ha compiuto un deciso passo avanti nell’adozione della litografia EUV con tecnologia High-NA. Si tratta di una delle innovazioni più avanzate nella produzione di semiconduttori perché consente di ottenere una risoluzione significativamente più elevata, essenziale per la miniaturizzazione dei transistor nei processi produttivi più avanzati.

Con l’installazione e l’utilizzo di due sistemi ASML Twinscan EXE:5000, i responsabili di Intel hanno confermato di aver già elaborato circa 30.000 wafer di silicio con queste macchine presso lo stabilimento D1 di Hillsboro, Oregon (USA). Questi strumenti, del valore stimato di 350 milioni di euro l’uno, rappresentano un’evoluzione cruciale per la produzione di chip a 1,4 nm (14A, angstrom), che Intel prevede di realizzare nei prossimi anni.

Nonostante le difficoltà, Intel si dimostra leader nella produzione di chip avanzati

Il traguardo raggiunto con l’utilizzo della tecnologia litografica High-NA non è un punto d’arrivo bensì un punto di partenza per la rinascita di Intel, da troppo tempo soffocata da una concorrenza fattasi sempre più agguerrita. E più ancora, forse, dal susseguirsi di errori commessi in passato.

L’adozione anticipata delle soluzioni High-NA EUV consente a Intel di lavorare su materiali chiave come vetro per fotomaschere, pellicole protettive e prodotti chimici, potenzialmente definendo già adesso gli standard futuri dell’industria. Inoltre, la collaborazione con ASML permette a Intel di influenzare lo sviluppo di questi sistemi, garantendosi un vantaggio competitivo rispetto ai rivali.

L’aveva detto nei giorni scorsi Joseph Bonetti, Principal Engineering Program Manager Intel, affermando che Intel si trova in una condizione vantaggiosa anche rispetto a TSMC. La società di Santa Clara dovrebbe infatti arrivare sul mercato con i suoi nuovi processori Panther Lake per PC basati sul nodo produttivo Intel 18A già nel corso del 2025.

Con High-NA EUV Intel guarda al futuro e pensa in grande

Sebbene la capacità di elaborare 30.000 wafer in un trimestre sia inferiore a quella delle linee di produzione su larga scala, il dato è comunque davvero significativo.

La principale innovazione della litografia High-NA EUV è la capacità di raggiungere una risoluzione di 8 nm con una singola esposizione, rispetto ai 13,5 nm delle attuali macchine Low-NA EUV. Questo riduce la necessità di doppia esposizione, migliorando l’efficienza produttiva. Tuttavia, poiché il campo di esposizione delle macchine High-NA è ridotto della metà rispetto ai sistemi Low-NA, i progettisti di chip devono adattare i loro design.

Sebbene in passato tanti abbiano dichiarato ormai morta e sepolta la legge di Moore (forse anche un po’ troppo frettolosamente…), High-NA EUV ha il potenziale per riportarla seriamente in auge.

La litografia High-NA permette infatti di incidere dettagli più fini sul wafer di silicio, portando a transistor più piccoli e densi, migliorando le prestazioni e riducendo i consumi energetici dei chip.

Credit immagine in apertura: Intel