Intel 3: cos'è e come funziona il nuovo processo per realizzare chip

Con Intel 3 l'azienda guidata da Pat Gelsinger pone una nuova pietra miliare presentando la sua tecnologia più avanzata per la realizzazione dei moderni chip. Cosa cambia rispetto al passato, mentre si guarda ormai all'era angstrom.

Nel contesto della fabbricazione dei chip, il termine nodo di produzione si riferisce alla tecnologia di processo utilizzata per creare i chip stessi. Il termine è un indicatore chiave delle prestazioni e dell’efficienza dei chip realizzati. Generalmente, un processo costruttivo più “spinto” corrisponde a una maggiore densità di transistor, a prestazioni superiori e a una maggiore efficienza energetica. Le dimensioni ridotte permettono di integrare un numero maggiore di transistor nello stesso spazio fisico, incrementando così la complessità e le prestazioni complessive dei chip.

Qualche tempo fa, sotto la guida di Pat Gelsinger, Intel ha aperto l’era angstrom cambiando l’ordine di grandezza. Il nanometro, unità di misura storicamente usata per rappresentare la dimensione minima delle caratteristiche dei transistor, come la lunghezza del gate, sarà progressivamente accantonata da Intel e dagli altri produttori che guardano a processi produttivi portati sempre più all’estremo. Basti pensare che 1 angstrom corrisponde a 0,1 nanometri (nm).

Annunciato il nuovo processo produttivo Intel 3: cosa significa

In occasione del VLSI Symposium 2024, Intel Foundry ha annunciato i dettagli del processo Intel 3. I rappresentanti dell’azienda di Santa Clara parlano di un importante passo in avanti, il quinto aggiornamento del migliore nodo di produzione Intel nel giro di appena 4 anni.

La soluzione Intel 3 è entrata ufficialmente nella fase di produzione di massa presso due stabilimenti della società (Oregon e Irlanda) e sarà destinata sia a prodotti come i processori Xeon 6 Sierra Forest e Granite Rapids che ai clienti partner.

Processo costruttivo chip Intel 3

Il nuovo nodo di produzione supporta sia tensioni basse (<0,6V) che alte (>1,3V), al fine di sostenere carichi di lavoro particolarmente impegnativi. In termini di prestazioni, Intel promette che la soluzione appena presentata sarà più performante del 18% a parità di potenza e densità di transistor rispetto a Intel 4.

Lo sviluppo di Intel 3, comunque, non si ferma qui: la tecnologia continuerà ad evolvere. Già oggi l’azienda mette a disposizione Intel 3T, soluzione in grado di offrire through-silicon via (TSV), utilizzabile come die di base. Intel 3T migliora il supporto per le applicazioni di stacking 3D, utili nell’elaborazione delle immagini, nel calcolo ad alte prestazioni e per l’intelligenza artificiale. In tutti questi frangenti, infatti, è necessario integrare più componenti di calcolo e memoria in un unico pacchetto.

In futuro, l’azienda metterà a disposizione Intel 3-E, con funzionalità migliorate per chipset e applicazioni di archiviazione, e Intel 3-PT utilizzabile per una vasta gamma di carichi di lavoro, come AI/HPC e PC generici.

Intel ricorda che quello appena presentato è il più avanzato nodo di processo basato sulla tecnologia FinFET. Da qui in avanti, la società diretta da Gelsinger si prepara ad aprire la strada alla transizione verso RibbonFET e all'”era angstrom” con i nodi di processo Intel 20A e Intel 18A che saranno presentati nel corso del 2025.

Credit immagine in apertura: Intel.

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