Il primo chip Intel a 10 nm sarà una memoria 3D NAND

Intel sta scommettendo molto sul nuovo processo costruttivo a 10 nm. Le mire dell’azienda guardano sempre più alla creazione in proprio di chip integrati come i SoC adoperati sui dispositivi mobili. Per il momento, però, l’obiettivo primario è quello di sviluppare processori di dimensioni minori e dai consumi energetici sempre più ridotti.

Grazie all’hyperscaling Intel produrrà CPU a 14 e 10 nm incrementando la densità dei transistor del 170%. Un passo in avanti importante che permetterà alla società di Santa Clara di ridurre anche i costi di produzione traendo il massimo dai wafer di silicio.

Appena due settimane fa Intel ha presentato i suoi chip FPGA Falcon Mesa a 10 nm che sfrutteranno l’interfaccia PCIe 4.0 e link a 112 Gbps: Intel presenta il suo processo costruttivo a 10 nm: inizialmente usato per i chip FPGA.

Adesso i tecnici di Intel hanno mostrato un più interessante wafer di silicio che sarà utilizzato per produrre processori destinati in futuro anche al mercato consumer.

Per il momento si tratta di memorie 3D NAND, le stesse utilizzate nelle unità SSD, chip a 64 livelli che inizialmente Intel conta di vendere ai clienti business impegnati nella gestione di data center. La disponibilità dei chip 3D NAND a 10 nm di Intel è fissata per la fine di quest’anno.

Intel sta comunque collaborando anche con l’inglese ARM per produrre chip integrati: il risultato è la realizzazione di wafer a 10 nm che saranno usati per realizzare core Cortex-A75 con frequenze di clock che superano i 3 GHz.
Dopo aver perso il treno iniziale, Intel ha cambiato rotta in maniera decisa.