La divisione ricerca e sviluppo di IBM è attivissima purtuttavia Big Blue non dispone delle risorse sufficienti per la produzione di massa dei suoi chip. Così, l’azienda ha appena annunciato che per la produzione dei processori POWER, Z e LinuxONE si appoggerà agli stabilimenti Samsung. I nuovi processori saranno realizzati ricorrendo a un processo costruttivo a 7 nm e alla litografia ultravioletta estrema (EUV): Come nascono chip e processori ultraminiaturizzati con i sistemi EUV.
I processori che Samsung realizzerà saranno realizzati ricorrendo all’approccio SOI (silicon-on-insulator) che permetterà di minimizzare alcune problematiche di fabbricazione. GlobalFoundries ha presentato un processo 12FDX (12 nm FD-SOI) che permette di ottenere le performance di un chip a 10 nm pur ricorrendo a un processo costruttivo a 12 nm.
FD-SOI è un approccio che sfrutta la tecnologia silicio su isolante (SOI, appunto): viene adoperato un substrato di silicio-isolante-silicio al posto del convenzionale substrato di silicio. Come isolante si impiega generalmente diossido di silicio e, in questo modo, il semiconduttore può ridurre le capacità parassite dei circuiti – ottimizzando le prestazioni – e migliorare la scalabilità dei circuiti integrati.
È verosimile che anche Samsung possa adoperare questo approccio: la peculiarità dei processori IBM è quella di utilizzare un elevato numero di core ad alte frequenze di lavoro. Ed è proprio per questo motivo che è bene orientarsi su processi costruttivi sempre più raffinati.
I processori IBM Z sono impiegati per la gestione di grossi volumi di dati (si pensi alle transazioni bancarie o alle informazioni per il controllo dei voli in aeroporto) con elevate garanzie in termini di sicurezza e affidabilità. I processori POWER dispongono di un set di istruzioni RISC (vedere Differenza tra processori ARM e x86) e sono impiegati per utilizzi più generici.