I transistor FinFET sono il passato secondo IBM e Samsung che presentano la nuova soluzione VTFET

IBM e Samsung hanno annunciato la loro ultima evoluzione nel design dei semiconduttori: si tratta di un nuovo modo di impilare i transistor verticalmente su un chip.
La nuova architettura è stata chiamata per l’appunto Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) ed è presentata come il successore dell’attuale FinFET.

I design verticali nel caso dei semiconduttori sono utilizzati già da tempo (si parlava spesso di Nanosheet) e anche Intel sembra voler continuare a muoversi in questo senso. L’azienda di Santa Clara si è tuttavia concentrata in particolare sull’impilamento dei componenti del chip piuttosto che sui singoli transistor.

Siamo ancora lontani dall’utilizzo della soluzione VTFET nei prodotti elettronici di consumo; tuttavia Intel e Samsung affermano che i nuovi chip garantirebbero il raddoppio delle prestazioni o una riduzione dell’85% nell’uso di energia rispetto ai progetti FinFET. E impacchettando più transistor nei chip, IBM e Samsung sostengono che la tecnologia VTFET potrebbe resuscitare la legge di Moore che anche secondo il CEO di Intel, Pat Gelsinger, è viva e vegeta.

IBM e Samsung citano alcuni “casi d’uso” concreti che potrebbero portare alla nascita di smartphone la cui batteria assicuri una settimana di autonomia, all’utilizzo di molta meno energia per le attività di codifica e decodifica dei dati oltre che, ad esempio, per operazioni notoriamente energivore come il mining di crittomonete.
Una dimostrazione del funzionamento di VTFET è presentata in questo video YouTube da poco pubbicato.

A maggio 2021 IBM ha presentato il primo chip a 2 nm puntando su maggiore potenza e consumi energetici ridotti continuando però a utilizzare la tecnologia FinFET esistente.
Con VTFET si dovrebbe fare un ulteriore “salto di qualità” ma ci vorrà ancora del tempo prima che i chip nati dalla collaborazione tra Big Blue e Samsung possano raggiungere il mercato.

Da parte sua Intel ha presentato in anteprima il suo progetto RibbonFet ovvero il primo transistor gate-all-around dell’azienda di Santa Clara: la società di Gelsinger lo considera come il successore di FinFET. Sarà parte integrante del processo costruttivo a 20 angstrom (20Å) che verrà utilizzato per la produzione di massa entro il 2024, almeno stando ai piani attuali.