GlobalFoundries è una delle aziende più quotate cui si appoggiano i produttori hardware per realizzare CPU, soprattutto SoC destinati ai dispositivi mobili, e GPU.
Oggi, se si pensa a GlobalFoundries, la mente corre subito al processo costruttivo FinFET a 14 nm, utilizzato tra l’altro anche per la produzione delle GPU progettate per le schede grafiche AMD Polaris.
La società, tuttavia, ed è cosa ancora poco nota, sta lavorando sulla realizzazione di transistor planari a 22 nm basati su tecnologia FD-SOI. Si tratta di chip che sfruttano la tecnologia silicio su isolante (SOI, Silicon on insulator): viene adoperato un substrato di silicio-isolante-silicio al posto del convenzionale substrato di silicio.
Come isolante si impiega generalmente diossido di silicio e, in questo modo, il semiconduttore può ridurre le capacità parassite dei circuiti – ottimizzando le prestazioni – e migliorare la scalabilità dei circuiti integrati.
I transistor a 22 nm FD-SOI vengono chiamati dai tecnici di GlobalFoundries 22FDX e vengono descritti come soluzioni eccellenti allorquando si debbano bilanciare alte prestazioni, bassi consumi energetici e costi contenuti. È il caso, ad esempio, di quei dispositivi che debbono combinare funzionalità di trasmissione e ricezione in radiofrequenza, elaborazioni analogiche e digitali, memoria e device logici in unico chip.
La novità è che GlobalFoundries sta adesso lavorando sui transistor 12FDX che, usando sempre la tecnologia silicio su isolante, permetterebbero di eguagliare le prestazioni dei transistor FinFET a 10 nm evidenziando migliori consumi energetici e costi più bassi già rispetto al processo costruttivo FinFET a 16 nm.
I tecnici di GlobalFoundries parlano di un miglioramento in termini di performance pari al 15% rispetto alle migliori odierne tecnologie FinFET oltre al 50% di consumi in meno.
GlobalFoundries starebbe già preparando i primi esemplari di transistor 12FDX presso il suo stabilimento di Dresda, in Germania.
Sempre secondo le previsioni dell’azienda, chip basati sull’utilizzo di transistor 12FDX saranno utilizzati nei dispositivi che andranno sul mercato nel 2019.