Un gruppo di ricercatori universitari guidati dal fisico Manus Hayne (Lancaster University, Regno Unito) hanno sviluppato quella che viene presentata come una nuova generazione di memoria che unisce i principali vantaggi delle DRAM con le caratteristiche delle flash. Le memorie Ultraram – così sono state battezzate – saranno infatti “non volatili”: diversamente rispetto ai tradizionali moduli RAM consentiranno di memorizzare e conservare i dati puntando però sull’aspetto prestazionale.
Le memorie DRAM sono veloci ma non permettono la conservazione dei dati quando viene tolta loro l’alimentazione. Si tratta di moduli che tendono a dimenticare le informazioni ivi salvate che devono essere continuamente aggiornate.
Di contro le memorie flash sono utilizzate per memorizzare i dati in modo permanente e sono adatte a essere trasportate sotto forma di dispositivi come schede SD, chiavette USB, unità a stato solido e così via. Paragonate con le DRAM, però, sono memorie molto più lente.
Con le Ultraram si vuole introdurre il concetto di “memoria universale” traendo il meglio dai due mondi. Per raggiungere l’obiettivo il professor Hayne e i suoi collaboratori hanno sfruttato i principi della meccanica quantistica e in particolare il cosiddetto resonant tunnelling che permette alle particelle di superare una barriera di potenziale applicando tensioni ridotte (circa 2,5V).
I ricercatori hanno realizzato i primi esemplari di moduli Ultraram che si sono rivelati fino a 2.000 volte più veloci rispetto ai prototipi e con una durabilità valutata come fino a 10 volte maggiore rispetto alle classiche flash.
I piccoli array Ultraram da 4 bit che gli accademici della Lancaster hanno messo a punto costituiscono la base per i futuri chip di memoria in attesa della conferma circa la registrazione del brevetto.