Arrivano le memorie UFS 3.0, il doppio più veloci rispetto a quelle attuali

I dispositivi mobili diverranno ancora più veloci nelle attività di lettura e scrittura dei dati sulle memorie flash. JEDEC, organismo di standardizzazione dei semiconduttori, ha infatti approvato ufficialmente le specifiche tecniche di UFS 3.0.

Il nuovo standard verrà inizialmente utilizzato sugli smartphone di fascia più alta e permetterà di beneficiare di una banda raddoppiata rispetto all’attuale UFS 2.1: sarà possibile trasferire 11,6 Gbps di picco su ciascun canale e usarne due in parallelo (così da raggiungere, almeno in via teorica, i 23,2 Gbps).

Per avere migliori prestazioni non si dovrà neppure pagare lo scotto in termini di consumi energetici: UFS 3.0 si preannuncia molto parsimonioso da questo punto di vista e impatterà ancor meno sulla batteria.

La terza novità rilevante, è che le memorie UFS 3.0 potranno operare tra -40 °C e +105 °C. Si tratta di valori estremi che però offriranno sufficienti garanzie, per esempio, ai produttori di soluzioni destinate al settore automotive: i veicoli possono essere esposti a temperature polari o, viceversa, essere parcheggiati sotto il sole cocente. Si capisce bene quanto sia essenziale certificare l’integrità dei dati a lungo termine, anche nelle condizioni ambientali più diverse tra loro.

Ci sono buone probabilità che Samsung possa usare memorie UFS 3.0 nel suo Galaxy Note 9 che dovrebbe essere presentato a fine estate.