Un patto tra venti aziende per rimpiazzare le memorie DRAM

Venti società produttrici di chip e componentistica elettronica stanno unendo le forze per avviare la produzione di massa delle nuove memorie MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Il patto di alleanza sarebbe stato stretto tra realtà giapponesi e statunitensi con lo scopo di migliorare ulteriormente le prestazioni degli attuali hardware.
A differenza delle comuni memorie RAM, le MRAM non memorizzano le informazioni come una quantità di carica elettrica ma come un campo magnetico. L’elemento che immagazzina il campo magnetico è formato da due strati di materiale ferromagnetico separati da uno strato di materiale isolante.
L’utilizzo delle MRAM dovrebbe ridurre l’assorbimento energetico con la possibilità, quindi, di aumentare l’autonomia della batteria sui dispositivi mobili. Le memorie MRAM dovrebbero consumare un terzo dell’energia richiesta dalle DRAM con una capacità ed una velocità di scrittura superiore di ben dieci volte.

Non è comunque dato sapere quando le prime MRAM saranno pronte per la commercializzazione. Gli attuali piani di sviluppo fanno riferimento all’ingresso sul mercato entro il 2018. Della “partita” sono aziende come Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi e Micron Technology.