Toshiba inizia a produrre le prime memorie UFS 3.0: le caratteristiche

Le memorie flash ad alte prestazioni UFS (Universal Flash Storage) sono conosciute e utilizzate ormai da diversi anni. Rispetto alle più tradizionali eMMC, le memorie UFS offrono un miglioramento netto in termini di velocità di trasferimento dati durante la lettura/scrittura di dati random 4K.
Esattamente un anno fa vi avevamo dato conferma dell’approvazione delle specifiche definitive di UFS 3.0: Arrivano le memorie UFS 3.0, il doppio più veloci rispetto a quelle attuali.

Oggi Toshiba rivela di aver realizzato i primi chip UFS 3.0, destinati a debuttare a breve sul mercato facendo inizialmente capolino sugli smartphone di fascia più alta oltre che sui tablet e convertibili meglio equipaggiati.

I chip UFS 3.0 di Toshiba usano memorie 3D NAND a 96 layer (che l’azienda giapponese chiama BiCS4) e saranno disponibili in “tagli” da 128, 256 e 512 GB.
Non saranno quindi prodotti economici anche se i costi delle memorie NAND si sono ampiamente ridotti rispetto a circa un anno e mezzo fa con la tendenza per i prossimi mesi che evidenzia ulteriori cali di prezzo.

Grazie alla possibilità di gestire fino a 11,6 Gbps per singolo canale, la velocità massima che le memorie UFS 3.0 possono raggiungere durante il trasferimento dati full duplex è di 2,9 GB/s, un valore che è sostanzialmente in linea con quello ottenibile sfruttando un’unità SSD per un sistema desktop.
I tecnici di Toshiba fanno comunque presente che il balzo in avanti rispetto a UFS 2.1 è stimabile tra il 70% e l’80%, dichiarazione che lascia intendere come le prime versioni dei chip UFS 3.0 non permettano di raggiungere le performance di picco.

Al momento Toshiba sta realizzando i primi campioni di chip di memoria UFS 3.0 per le aziende partner ma non ha rivelato alcuna data di lancio. Certamente però, le nuove memorie saranno usate anche nei dispositivi per la realtà aumentata, oltre che nei device di fascia alta già citati in precedenza.