Samsung presenta le sue 3D V-NAND da 256 Gigabit

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle sue nuove memorie flash 3D NAND (V-NAND) a 256 Gigabit. Tali memorie si sviluppano su 48 livelli impilati uno sull’altro ed ogni singolo layer è formato da celle MLC (multi-level cell) a 3 bit.
Il produttore coreano ha subito confermato che le nuove memorie saranno usate per la produzione di unità SSD di nuova fattura (nell’articolo Quale SSD comprare: differenze e consigli per l’acquisto abbiamo visto la differenza tra memorie SLC, MLC e TLC).

I portavoce di Samsung spiegano che le 3D V-NAND di nuova concezione sono nettamente più efficienti grazie all’ottimizzazione dei consumi energetici, a performance migliori ed a processi produttivi maggiormente semplificati. L’obiettivo è quello di accelerare la commercializzazione di unità SSD più performanti e contraddistinte da una maggiore densità. Leggasi: unità SSD sempre più capienti, anche da diversi Terabytes.

Un chip flash V-NAND da 256 Gigabit (32 GBytes) a 48 livelli con MLC a 3 bit consuma il 30% dell’energia in meno tipicamente richiesta da una V-NAND 128 Gigabit a 32 livelli (sempre basata su MLC a 32 bit).