Intel presenta i suoi SSD veloci, frutto del lavoro con Micron

A metà dello scorso anno Intel e Micron Technologies promisero di collaborare per portare sul mercato unità SSD di capacità pari a 10 TB. L’intesa tra le due aziende fu focalizzata soprattutto sullo sviluppo di chip di memoria 3D NAND a 32 livelli con una capacità, per singolo chip, di 256 Gbits (32 GB) MLC o di 384 Gbits (48 GB) TLC.

La collaborazione Intel-Micro ha prodotto oggi i suoi primi frutti, nonostante la capienza massima offerta dalle unità SSD dell’azienda di Santa Clara sia al massimo pari a 2 TB, contro i 15,36 TB del prodotto più evoluto di casa Samsung (vedere Samsung, nuovi SSD portatili e campioni in termini di capienza).

I nuovi modelli di SSD Intel sono principalmente progettati per i data center e potranno essere connessi utilizzando slot PCIe 3.0 x4 ed il protocollo NVMe (vedere SSD M.2 PCIe NVMe, guida ai nuovi termini).

Il nuovo SSD DC P3520 permette la lettura/scrittura sequenziali dei dati, rispettivamente, a 2.800 MB/s e 1.840 MB/s; i modelli DC P3320 e DC P3520 fino a 1.600 MB/s in lettura e 1.400 MB/s in scrittura. Il primo è da 2,5 pollici mentre il secondo usa il formato HHHL (Half-Height Half-Length) per socket PCIe.

Poco costoso sarà il DC S3100 che utilizza memorie TLC (vedere Migliori SSD, guida all’acquisto) realizzate con un processo costruttivo a 16 nm. Le prestazioni sono notevolmente più contenute (535 MB/s in lettura e 118 MB/s in scrittura).

Interessanti i modelli DC D3700 e DC D3600 perché sono tra le prime unità SSD sul mercato ad usare connessioni NVMe dual-port (due collegamenti PCIe 3.0 x2).
Tale soluzione permette a due sistemi di accedere contemporaneamente ai dati dallo stesso dispositivo di memorizzazione fornendo un percorso di accesso ridondante all’unità. Vengono poi messe a disposizione le altre funzionalità tipiche dei dischi SAS (High Availability, HA). Le performance si riducono leggermente (470.000 / 95.000 IOPS in lettura e scrittura random 4K; 2.100 MB/s e 1.500 MB/s in lettura/scrittura sequenziale).