Intel: legge di Moore sempre attuale. Mille miliardi di transistor entro il 2030

Nel corso dell’evento IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022 Intel ha ricordato per l’ennesima volta che la legge di Moore resta il faro che guiderà lo sviluppo dei processori nel corso del prossimo decennio. E ciò nonostante tanti esperti, concorrenti e alcuni scienziati ne abbiano ripetutamente celebrato la fine, soprattutto per via dei limiti fisici legati alla riduzione della dimensione dei transistor.

Eppure i rappresentanti di Intel hanno assicurato che entro il 2030 l’azienda utilizzerà qualcosa come mille miliardi (one trillion) di transistor sul singolo package.

I ricercatori Intel hanno mostrato i progressi raggiunti nella tecnologia di packaging 3D accrescendo di 10 volte la densità e presentato nuovi materiali per il ridimensionamento dei transistor 2D oltre il livello RibbonFET tra cui un materiale ultrasottile dello spessore di soli 3 atomi.
Intel ha dato dimostrazione della realizzazione di nanosheet impilati di tipo gate-all-around utilizzando materiale 2D di soli 3 atomi di spessore al posto del silicio ottenendo uno switching quasi ideale dei transistor a temperatura ambiente con bassa dispersione. Due innovazioni che vengono presentate come fondamentali per migliorare lo stacking dei transistor GAA.
I rappresentanti della società di Santa Clara si sono inoltre soffermati sugli avanzamenti in termini di efficienza energetica, sulla memoria per elaborazioni più performanti e sui progressi nel calcolo quantistico.

“A settantacinque anni dall’invenzione del transistor, l’innovazione che guida la legge di Moore continua a soddisfare la crescente domanda di potenza di calcolo. All’IEDM 2022 Intel ha presentato non solo possibili sviluppi futuri della ricerca ma anche risultati concreti, entrambi necessari per abbattere le barriere attuali e future, soddisfare questa domanda e mantenere sempre attuale la Legge di Moore“, ha fatto presente Gary Patton, Intel vice president e general manager, Components Research and Design Enablement.

I nuovi materiali e processi descritti da Intel rendono sempre più sfumato il confine tra packaging e silicio portando alla realizzazione di chip “quasi-monolitici” con densità di interconnessione e larghezze di banda simili a quelle che si trovano nelle connessioni dei SoC monolitici.

Dicevamo che Intel ha compiuto importanti passi in avanti anche sul piano dell’efficienza energetica e presentato nuove memorie. Per utilizzare l’area del chip in modo più efficace, Intel ha sviluppato una memoria che può essere posizionata verticalmente sopra i transistor. Per la prima volta nel settore, Intel presenta condensatori ferroelettrici impilati con prestazioni corrispondenti a quelle dei condensatori convenzionali.
Sono stati anche descritti nuovi “transistor che non dimenticano” conservando i dati anche quando non viene più fornita alcuna alimentazione: i ricercatori Intel hanno dimostrato che la tecnologia può essere utilizzata anche a temperatura ambiente.